Производитель ON SEMICONDUCTOR
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 1.2 kV
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 54 А
Макс. ток коллектора (100°C) 26 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 60 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C 390 Вт