ELectronic ENgineers e-shop
WhatsApp +99470-355-77-72
Telegram bot
Вс, 2024-11-24, 09:54
Приветствую Вас Гость
Меню сайта
Категории раздела
Мини-чат
Наш опрос
Оцените мой сайт
Всего ответов: 407
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
Главная » Электронные компоненты, радиодетали » Транзисторы

IGBT HGTG18N120BND 54A 1200V TO247

Рейтинг: 3.5/2
39.17 AZN 36.27 AZN
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
  • Наличие: 10
  • Единица: шт.
Купить сейчас

Производитель ON SEMICONDUCTOR

Корпус TO247

Структура IGBT + Diode

Схема соединения Одиночный

Макс. напряжение коллектор-эмиттер 1.2 kV

Напряжение затвор - эмиттер ±20 V

Макс. ток коллектора (25°C) 54 А

Макс. ток коллектора (100°C) 26 А

Время восстановления диода (25°С/tmax) 60 нс (typ)

Мощность рассеяния при 25°C 390 Вт

Добавил: mehri1982, Ср, 2018-09-05

Поиск
Вход на сайт
Корзина
Ваша корзина пуста
Валюта

  • 10 AZN = 5.484 Евро
  • 10 AZN = $5.872
  • 1 AZN = 19.066 TL
  • 1 AZN = 54.052 Рубль
Copyright WWW.ELEN.AZ Baku Azerbaijan © 2024 Телефон(WhatsApp):+994703557772