Технические параметры
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 55 А
Тип корпуса TO-3PN
Максимальное рассеяние мощности 310 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5мм
Высота 18.9мм
Размеры 15.8 x 5 x 18.9мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 15.8мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 100 нс
Производитель
Типичное время задержки выключения 200 ns
Серия QFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Минимальная Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 40 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 250 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 140 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 4800 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V
